인도 과학자 저가 반도체 소재 개발 연구 선도

2022-01-14

2020-21년 하이데라바드 타타기초연구소(Tata Institute of Fundamental Research-Hyderabad) 리더이자 2020-2021 스와나자얀티 펠로우(Swarnajayanti fellow) 인 파비트라 K 나약(Pabitra K Nayak)교수가 이끄는 그룹에서 인도의 기술 리더십에 기여할 수 있는 효율적인 차세대 저가 반도체 재료 개발을 위한 연구를 주도하고 있다고 과학기술부(Ministry of Science and Technology, MST)가 전했다. 이는 최근 인도 정부가 반도체와 효율적인 차세대 저가 반도체 소재를 바탕으로 인도를 전자제품 제조의 글로벌 허브로서의 위치를 확보하기 위해 230억 루피(한화 약 3716억 8000만원)의 인센티브를 제공하겠다고 발표한 가운데 나온 것이다. "외국무기 도입억제/국내 생산 장려 정책 (Aatmanirbhar Bharat) 비전에 따라 인도를 전자 시스템 설계와 제조의 글로벌 허브로서 위치를 확보 할 수 있는 길을 만들 수 있을 것입니다."라고 과학기술부(MST)는 덧붙였다.

과학기술부(MST)에 따르면 상업적으로 이용 가능한 대규모 전자적 응용은 금속 할라이드 페로브스카이트*(metal halide perovskite) 나 유기 반도체(organic semiconductors)와 같은 저에너지 가공 가능 물질에 의해 실현될 수 있다. 그동안 연구계의 관심은 대부분 고도로 복잡하고 반응성이 높은 유기물이나 유기물 복합체를 기반으로 한 전자 도펀트(Dopant) 시스템 개발에 집중되어 왔는데, 이 복합체들은 효율성이 크게 떨어지고 장치의 장기적 안정성에 영향을 미치는 부수적인 문제를 가지고 있다. 따라서 이러한 접근법과 전자 도핑에 대한 연구를 넘어설 필요가 있다고 과학기술부(DST)는 덧붙였다.

과학기술부(DST) 스와나자얀티(Swarnajayanti) 펠로우십을 획득한 파비트라 K 나약(Pabitra K Nayak) 교수는 분자 부가물(여러 개의 분자가 결합하여 형성된 분자종)과 다양한 종류의 반도체의 효율적인 전자 도핑을 위한 라디칼(radicals)을 기반으로 한 새로운 도핑제 개발을 목표로 하고 있으며, 이를 통해 더 나은 성능을 가진 새로운 시스템을 고안하는 데 도움이 될 것이라고 전했다. 또한 파비트라 K 나약(Pabitra K Nayak) 교수팀은 유기물과 금속 할라이드 페로브스카이트(metal halide perovskite) 반도체의 p형과 n형 전자 도핑 메커니즘을 조사할 것이며, 기기 성능 저하의 원인이 되는 전자적 결함을 줄이기 위한 프로세스도 개발될 것이라고 덧붙였다.

파비트라 K 나약(Pabitra K Nayak) 교수는 이 모든 가능성이 청정에너지 사용으로 인한 지속 가능한 사회경제적 성장을 위해 필수적인 반도체 소재 연구개발에서 인도의 경쟁력을 향상시킬 것이라고 전했다.

* 페로브스카이트(Perovskite) : 부도체, 반도체, 도체의 성질은 물론 초전도 현상까지 보이는 특별한 구조의 금속 산화물

Source: https://www.thestatesman.com/india/indian-scientists-lead-research-development-low-cost-semiconductor-materials-1503035102.html

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