인도, 질화갈륨(GaN) 기술 역량 강화

2022-03-28

인도의 질화갈륨 에코시스템 활성화 센터(Gallium Nitride Ecosystem Enabling Centre and Incubator, GEECI)는 전자정부기술부(Ministry of Electronics and Information Technology, MeitY)와 뱅갈루루 인도과학연구소(IISc Banggaluru)에 의해 공동으로 설립되었으며, 특히 무선 전자파(Radio Frequency, RF)및 전력 애플리케이션을 위한 질화갈륨(GaN) 기반 파운드리(Foundry) 개발 라인 시설 설립을 목표로 하고 있다.

라지예프 찬드라세카르(Rajeev Chandrasekhar) 전자정부기술부(MeitY) 장관은 뱅갈루루(Banggaluru)에 있는 인도과학연구소(IISc)의 질화갈륨 에코시스템 활성화 센터 (GEECI) 시설을 방문해, 프로젝트의 진척상황을 검토하고, 시설을 시찰한 후 그 중요성을 강조했다. 장관은 "향후 2~3년은 질화갈륨(GaN)이 전기 차량 및 무선 통신을 가능하게 하는 중요한 역할을 할 수 있는 기회를 제공합니다"라고 전하며, 인도과학연구소(IISc) 국가 나노제조 센터(National Nanofabrication Centre, CeNSE)의 질화갈륨(GaN) 트랜지스터 제조 과정을 시찰하였다.

나렌드라 모디(Narendra Modi) 총리가 2015년에 시작한 디지털 인도 프로그램(Digital India Program)의 핵심 목표 중 하나는 신흥 기술에 대한 전략적 역량을 구축하는 것이며, 이러한 목표를 달성하기 위해 전자정부기술부(MeitY)는 하이테크(HiTech)/전략테크(Strategic Tech)를 중요한 요소로 포함하는 전자정부기술부(MeitY)비전 1000일을 계획하였다. 질화갈륨(GaN) 기술은 5G, 우주, 국방 분야에 적용되는 전략적으로 중요한 분야이다.

라지예프 찬드라세카르(Rajeev Chandrasekhar) 전자정부기술부(MeitY) 장관은 인도에 반도체 공장을 설립하고, 인도를 전자 시스템 설계 및 제조의 글로벌 허브로 만들기 위해 최근 발표된 100억 달러(한화 약 12조 2400억원)의 인센티브에 대해 언급하면서 "전자 제품 제조와 전자 및 반도체 설계 분야에는 엄청난 기회가 있습니다."라고 언급하였다. 또한 "반도체 제조 분야에서 인도과학연구소(IISc)나 인도공과대학(IIT)과 같은 연구소에서 진행하는 연구, 기술 개발, 교육 및 훈련은 디지털 인도(Digital India)와 인도 국내 공장 설립에 대한 꿈을 실현하기 위해 필수적입니다."라고 덧붙였다.

인도과학연구소(IISc)의 반도체 제조 시설(Fab) 모델은 인도 국내에서의 기술 개발을 촉진하고, 이동 장비 시스템(Cellular Infrastructure)및 전략 기술에 대한 최종 도입을 활성화 하기 위한 최첨단 육성 모델이 될 것이다. 질화갈륨(GaN) 생태계는 생산연계인센티브(Producation Linked Incentive Scheme, PLI) 및 디자인 연계 인센티브(Design Linked Incentive, DLI)와 함께 혁신을 주도하고, 스타트업(startup)과 기업가들이 향후 2년 동안 비즈니스와 기술을 심도있게 검토할 수 있도록 장려할 것이다.

Source: https://www.eetindia.co.in/india-building-gan-tech-capability/